IRFR310TRL

更新时间： 2024-02-25 09:19:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	1417K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFR310TRL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	86 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.7 A
最大漏极电流 (ID)：	1.7 A	最大漏源导通电阻：	3.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR310TRL 数据手册

IRFR310, IRFU310, SiHFR310, SiHFU310

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

Available

• Repetitive Avalanche Rated

3.6

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

RoHS*

• Surface Mount (IRFR310/SiHFR310)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

1.9

6.5

• Straight Lead (IRFU310/SiHFU310)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs form Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR310PbF

SiHFR310-E3

IRFR310

DPAK (TO-252)

IRFR310TRPbF^a

SiHFR310T-E3^a

IRFR310TR^a

DPAK (TO-252)

IRFR310TRRPbF^a

SiHFR310TR-E3^a

IPAK (TO-251)

IRFU310PbF

SiHFU310-E3

IRFU310

IRFR310TRLPbF^a

SiHFR310TL-E3^a

IRFR310TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR310

SiHFR310TL^a

SiHFR310T^a

SiHFU310

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

400

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

1.7

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

1.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

6.0

Linear Derating Factor

0.20

0.020

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

1.7

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

4.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 52 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.7 A, dI/dt ≤ 40 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1” square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91272

S-81367-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRFR310TRL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR310TRLA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR310TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR310TRLPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR310TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR310TRPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR310TRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFR310TRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR310TRRPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR311	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 1.7A I(D) \| TO-252AA
IRFR312	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o

与IRFR310TRL相关文章

REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
2024-08-05

31
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
2024-07-30

81
RT9172资料手册解读：关节特性、引脚信息、参数说明
2024-07-30

69
一文带你了解SM8760CA资料：主要参数特征
2024-07-30

71

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR310TRL

IRFR310TRL 技术参数

IRFR310TRL 数据手册

与IRFR310TRL相关器件

与IRFR310TRL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR310TRL

IRFR310TRL 技术参数

IRFR310TRL 数据手册

与IRFR310TRL相关器件

与IRFR310TRL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？