IRFR1N60ATR

更新时间： 2024-09-17 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	156K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFR1N60ATR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
雪崩能效等级（Eas）：	93 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A	最大漏极电流 (ID)：	1.4 A
最大漏源导通电阻：	7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5.6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR1N60ATR 数据手册

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)(Max.) (Ω)

Q_g(Max.) (nC)

600

Available

V_GS= 10 V

7.0

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

2.7

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

8.1

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• Power Factor Correction

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Low Power Single Transistor Flyback

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR1N60APbF

SiHFR1N60A-E3

IRFR1N60A

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRLPbF^a

SiHFR1N60ATL-E3^a

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRPbF^a

SiHFR1N60AT-E3^a

IRFR1N60ATR^a

SiHFR1N60AT^a

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRRPbF^aIRFU1N60APbF

SiHFR1N60ATR-E3^a

IPAK (TO-251)

Lead (Pb)-free

SiHFU1N60A-E3

IRFU1N60A

SnPb

SiHFR1N60A

SiHFU1N60A

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

1.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

0.89

5.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.28

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.4

E_AR

3.6

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 95 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.4 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.4 A, dI/dt ≤ 180 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91267

S-81367-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRFR1N60ATR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR1N60ATRL	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR1N60ATRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR1N60ATRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR1N60ATRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFR1N60ATRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR210	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A)
IRFR210	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR210	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR210, IRFU210, SiHFR210, SiHFU210	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR210A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 2.7A I(D) \| TO-252AA

与IRFR1N60ATR相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

16
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

15
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

93
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

83

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR1N60ATR

IRFR1N60ATR 技术参数

IRFR1N60ATR 数据手册

与IRFR1N60ATR相关器件

与IRFR1N60ATR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFR1N60ATR

IRFR1N60ATR 技术参数

IRFR1N60ATR 数据手册

与IRFR1N60ATR相关器件

与IRFR1N60ATR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？