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IRFHS8342TR2PBF

更新时间： 2024-01-24 23:10:01

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HEXFET Power MOSFET

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IRFHS8342TR2PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFN
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.99	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A	最大漏极电流 (ID)：	8.8 A
最大漏源导通电阻：	0.016 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	76 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFHS8342TR2PBF 数据手册

IRFHS8342PbF

= 8.5A

Vgs = 4.5V

= 125°C

Vgs = 10V

= 25°C

I , Drain Current (A)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 13. Typical On-Resistance vs. Drain Current

Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage

600

500

400

300

200

100

1E-5

1E-4

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

Time (sec)

Fig 14. Typical Power vs. Time

Driver Gate Drive

P.W.

Period

D =

D.U.T

=10V

CircuitLayoutConsiderations

• Low Stray Inductance

• Ground Plane

• Low Leakage Inductance

Current Transformer

D.U.T. I Waveform

Reverse

Recovery

Current

Body Diode Forward

Current

di/dt

D.U.T. V Waveform

Diode Recovery

dv/dt

V_DD

Re-Applied

Voltage

• dv/dtcontrolledbyR_G

R_G

Body Diode

Forward Drop

• Driver same type as D.U.T.

• I_SDcontrolled by Duty Factor "D"

• D.U.T. - Device Under Test

Inductor Curent

Ripple ≤ 5%

* V_GS= 5V for Logic Level Devices

Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel

HEXFET^®Power MOSFETs

www.irf.com

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