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IRFHS8342TR2PBF

更新时间： 2024-01-26 10:24:32

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HEXFET Power MOSFET

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IRFHS8342TR2PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFN
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.99	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A	最大漏极电流 (ID)：	8.8 A
最大漏源导通电阻：	0.016 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	76 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFHS8342TR2PBF 数据手册

IRFHS8342PbF

Static @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

V_GS= 0V, I_D= 250μA

––– mV/°C Reference to 25°C, I_D= 1mA

BV_DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

Breakdown Voltage Temp. Coefficient

Static Drain-to-Source On-Resistance

–––

1.35

–––

ΔΒV_DSS/ΔT_J

R_DS(on)

_GS= 10V, I_D= 8.5A

_GS= 4.5V, I_D= 6.8A

mΩ

V_GS(th)

ΔV_GS(th)

I_DSS

Gate Threshold Voltage

1.8

-5.8

–––

4.2

8.7

1.5

1.3

1.9

5.9

2.35

V_DS= V_GS, I_D= 25μA

Gate Threshold Voltage Coefficient

Drain-to-Source Leakage Current

––– mV/°C

1.0

μA

V_DS= 24V, V_GS= 0V

150

V_DS= 24V, V_GS= 0V, T_J= 125°C

I_GSS

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Forward Transconductance

Total Gate Charge

100

_GS= 20V

_GS= -20V

-100

gfs

Q_g

–––

V_DS= 10V, I_D= 8.5A

nC V_GS= 4.5V, V_DS= 15V, I_D= 8.5A

_DS= 15V

V_GS= 10V

_D= 8.5A (See Fig. 6 & 16)

–––

Q_g

Total Gate Charge

Q_gs

Q_gd

R_G

t_d(on)

t_r

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain Charge

Gate Resistance

–––

Turn-On Delay Time

Rise Time

V_DD= 15V, V_GS= 4.5V

–––

I_D= 8.5A

R_G=1.8Ω

See Fig.17

V_GS= 0V

t_d(off)

t_f

Turn-Off Delay Time

Fall Time

5.2

5.0

600

100

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

V_DS= 25V

ƒ = 1.0MHz

Diode Characteristics

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

I_S

Continuous Source Current

MOSFET symbol

–––

8.5

showing the

integral reverse

(Body Diode)

Pulsed Source Current

I_SM

–––

p-n junction diode.

(Body Diode)

V_SD

t_rr

T = 25°C, I = 8.5A , V = 0V

Diode Forward Voltage

–––

1.0

T = 25°C, I = 8.5A , V_DD= 13V

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Forward Turn-On Time

Q_rr

t_on

di/dt = 330 A/μs

Time is dominated by parasitic Inductance

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

Units

Junction-to-Case

R_θ_JC(Bottom)

R_θJC(Top)

°C/W

Junction-to-Ambient

R_θ

Junction-to-Ambient (<10s)

R_θ

Notes:

Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.

Current limited by package.

Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.

When mounted on 1 inch square copper board

ꢀR is measured at T_Jof approximately 90°C.

www.irf.com

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