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IRFHS8342TR2PBF

更新时间： 2024-02-26 04:02:03
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描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFHS8342TR2PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFN
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.99外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.5 A最大漏极电流 (ID)：8.8 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFHS8342TR2PBF 数据手册

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IRFHS8342PbF  
100  
1000  
100  
10  
OPERATION IN THIS AREA  
LIMITED BY R (on)  
DS  
T
= 150°C  
J
10  
1
100μsec  
T
= 25°C  
J
10msec  
Limited by  
Wire Bond  
1
1msec  
DC  
Tc = 25°C  
Tj = 150°C  
V
= 0V  
Single Pulse  
GS  
0.1  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1  
, Source-to-Drain Voltage (V)  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
V
DS  
SD  
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage  
Fig 8. Maximum Safe Operating Area  
20  
2.2  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
LIMITED BY PACKAGE  
16  
12  
8
I
= 25μA  
D
4
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
-75 -50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
T , Case Temperature (°C)  
C
T
, Temperature ( °C )  
J
Fig 9. Maximum Drain Current vs.  
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature  
Case(Bottom)Temperature  
100  
10  
1
D = 0.50  
0.20  
0.10  
0.05  
0.02  
0.01  
0.1  
Notes:  
SINGLE PULSE  
( THERMAL RESPONSE )  
1. Duty Factor D = t1/t2  
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc  
0.01  
1E-006  
1E-005  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
t
, Rectangular Pulse Duration (sec)  
1
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (Bottom)  
4
www.irf.com  
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