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IRFH4213TRPBF

更新时间： 2024-11-16 20:00:11
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 505K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRFH4213TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：89 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRFH4213TRPBF 数据手册

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FastIRFET™  
IRFH4213PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
25  
V
RDS(on) max  
(@ VGS = 10V)  
1.35  
m  
(@ VGS = 4.5V)  
1.90  
26  
Qg (typical)  
nC  
A
ID  
204  
(@TC (Bottom) = 25°C)  
PQFN 5X6 mm  
Applications  
Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters  
Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters  
Active ORing and Hot Swap  
Battery Operated DC Motor Inverters  
Features  
Benefits  
Low RDSon (<1.35m)  
Low Thermal Resistance to PCB (<1.4°C/W)  
Lower Conduction Losses  
Enable better thermal dissipation  
Increased Power Density  
Multi-Vendor Compatibility  
Easier Manufacturing  
Low Profile (<0.9 mm)  
results in  
Industry-Standard Pinout  
  
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant, Halogen-Free  
MSL1, Industrial Qualification  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
Standard Pack  
Base part number  
Package Type  
Orderable Part Number  
Form  
Quantity  
IRFH4213PbF  
PQFN 5mm x 6 mm  
Tape and Reel  
4000  
IRFH4213TRPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Gate-to-Source Voltage  
Max.  
± 20  
41  
Units  
VGS  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TC(Bottom) = 25°C  
ID @ TC(Bottom) = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
204  
129  
400  
A
PD @TA = 25°C  
PD @TC(Bottom) = 25°C  
Power Dissipation   
3.6  
W
Power Dissipation   
89  
Linear Derating Factor   
0.029  
W/°C  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Notes through are on page 9  
1
www.irf.com  
© 2015 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
March 11, 2015  
1234567...9

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