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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9532 | INFINEON |
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TRANSISTORS |
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| IRF9532 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9532 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9533 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9533 | ROCHESTER |
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10A, 80V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF9533 | INFINEON |
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TRANSISTORS |
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| IRF9533 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9533-006PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9540 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9540 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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