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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.59 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9532 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS |
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| IRF9532 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9532 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9533 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9533 | ROCHESTER |
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10A, 80V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF9533 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS |
|
| IRF9533 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9533-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF9540 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF9540 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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