IRF7905PBF

更新时间： 2024-01-09 21:30:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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HEXFET Power MOSFET

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IRF7905PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	LEAD FREE, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.35
雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.9 A
最大漏极电流 (ID)：	8.9 A	最大漏源导通电阻：	0.0171 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	71 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7905PBF 数据手册

IRF7905PbF

Typical Characteristics

Q1 - Control FET

Q2 - Synchronous FET

100

125

150

100

125

150

T , Ambient Temperature (°C)

Fig 19. Maximum Drain Current vs. Ambient Temp.

Fig 20. Maximum Drain Current vs. Ambient Temp.

2.2

2.4

2.2

2.0

= 250µA

1.8

1.6

1.4

1.2

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

-75 -50 -25

75 100 125 150

-75 -50 -25

75 100 125 150

T , Temperature ( °C )

Fig 21. Threshold Voltage vs. Temperature

Fig 22. Threshold Voltage vs. Temperature

TOP

3.2A

3.7A

7.1A

TOP

3.0A

3.5A

6.2A

BOTTOM

100

125

150

100

125

150

Starting T , Junction Temperature (°C)

Fig 23. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current

Fig 24. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current

www.irf.com

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