IRF7910

更新时间： 2024-09-07 22:22:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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HEXFET Power MOSFET

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IRF7910 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.015 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7910 数据手册

PD - 94419

IRF7910

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS

R_DS(on)max

I_D

Applications

12V

15mΩ @V_GS= 4.5V

10A

l High Frequency 3.3V and 5V input Point-

of-Load Synchronous Buck Converters for

Netcom and Computing Applications

l Power Management for Netcom,

Computing and Portable Applications

Benefits

l Ultra-Low Gate Impedance

l Very Low R_DS(on)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

SO-8

Top View

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 12

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current

7.9

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

2.0

1.3

mW/°C

°C

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

Units

R_θJL

R_θJA

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

°C/W

–––

62.5

Notes through are on page 8

www.irf.com

4/29/02

12 3 4 5 6 7 8

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