IRF7905PBF

更新时间： 2024-02-11 21:07:02

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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HEXFET Power MOSFET

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IRF7905PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	LEAD FREE, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.35
雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.9 A
最大漏极电流 (ID)：	8.9 A	最大漏源导通电阻：	0.0171 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	71 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7905PBF 数据手册

IRF7905PbF

Typical Characteristics

Q1 - Control FET

Q2 - Synchronous FET

2.0

1.5

1.0

0.5

2.0

1.5

1.0

0.5

= 7.8A

= 8.9A

= 10V

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

, Junction Temperature (°C)

Fig 14. Normalized On-Resistance vs. Temperature

Fig 13. Normalized On-Resistance vs. Temperature

100

100.0

= 150°C

10.0

1.0

= 25°C

= 0V

1.2

, Source-to-Drain Voltage (V)

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.4

, Source-to-Drain Voltage (V)

Fig 16. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage

Fig 15. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage

= 8.9A

= 7.8A

= 125°C

= 25°C

= 125°C

= 25°C

, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 17. Typical On-Resistance vs.Gate Voltage

Fig 18. Typical On-Resistance vs.Gate Voltage

www.irf.com

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