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IRF3709STRL

更新时间： 2024-02-14 16:31:01

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	126K
描述
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

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IRF3709STRL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	382 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IRF3709STRL 数据手册

IRF3709/3709S/3709L

1200

1000

800

600

400

200

15V

TOP

13A

19A

BOTTOM 30A

D RIV ER

D.U .T

20V

0.01

Ω

Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit

(BR)DSS

100

125

150

Starting T , Junction Temperature( C)

Fig 12c. Maximum Avalanche Energy

Vs. Drain Current

Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

50KΩ

.2µF

12V

.3µF

V_GS

D.U.T.

3mA

Current Sampling Resistors

Charge

Fig 13b. Gate Charge Test Circuit

Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform

www.irf.com

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与IRF3709STRL相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF3709STRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3709STRR	INFINEON	MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK	获取价格
IRF3709Z	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF3709ZCL	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF3709ZCLPBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF3709ZCS	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格