IRF3708L

更新时间： 2024-02-13 07:37:13

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
10页	140K
描述
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF3708L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	213 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	62 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	248 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3708L 数据手册

IRF3708/3708S/3708L

Static @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

30 ––– –––

––– 0.028 ––– V/°C Reference to 25°C, I_D= 1mA

Conditions

V_(BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= 250µA

∆V_(BR)DSS/∆T_JBreakdown Voltage Temp. Coefficient

–––

Static Drain-to-Source On-Resistance –––

12.0

V_GS= 10V, I_D= 15A

R_DS(on)

9.5

13.5 mΩ V_GS= 4.5V, I_D= 12A

–––

0.6

14.5

–––

2.0

V_GS= 2.8V, I_D= 7.5A

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_DS= 24V, V_GS= 0V

V_DS= 24V, V_GS= 0V, T_J= 125°C

V_GS= 12V

V_GS(th)

I_DSS

Gate Threshold Voltage

–––

µA

Drain-to-Source Leakage Current

100

200

-200

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

I_GSS

V_GS= -12V

Dynamic @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Symbol

g_fs

Parameter

Forward Transconductance

Total Gate Charge

Min. Typ. Max. Units

Conditions

––– –––

24 –––

6.7 –––

5.8 –––

V_DS= 15V, I_D= 50A

I_D= 24.8A

Q_g

–––

Q_gs

Q_gd

Q_oss

t_d(on)

t_r

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

Output Gate Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

nC V_DS= 15V

V_GS= 4.5V

V_GS= 0V, I_D= 24.8A, V_DS= 15V

V_DD= 15V

7.2 –––

50 –––

I_D= 24.8A

t_d(off)

t_f

Turn-Off Delay Time

Fall Time

––– 17.6 –––

––– 3.7 –––

R_G= 0.6Ω

V_GS= 4.5V

V_GS= 0V

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

––– 2417 –––

––– 707 –––

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

V_DS= 15V

–––

52 –––

ƒ = 1.0MHz

Avalanche Characteristics

Symbol

E_AS

Parameter

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Typ.

–––

Max.

213

Units

I_AR

Diode Characteristics

Symbol

I_S

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

Continuous Source Current

(Body Diode)

MOSFET symbol

––– –––

showing the

I_SM

Pulsed Source Current

(Body Diode)

integral reverse

p-n junction diode.

248

––– 0.88 1.3

––– 0.80 –––

T_J= 25°C, I_S= 31A, V_GS= 0V

T_J= 125°C, I_S= 31A, V_GS= 0V

T_J= 25°C, I_F= 31A, V_R=20V

V_SD

Diode Forward Voltage

t_rr

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

––– 41

––– 64

––– 43

Q_rr

t_rr

nC di/dt = 100A/µs

ns T_J= 125°C, I_F= 31A, V_R=20V

nC di/dt = 100A/µs

Q_rr

––– 70 105

www.irf.com

123 4 5 6 7...10

下载PDF

与IRF3708L相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF3708LPBF	INFINEON	SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET	获取价格
IRF3708PBF	INFINEON	SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET	获取价格
IRF3708S	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A)	获取价格
IRF3708SPBF	INFINEON	SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET	获取价格
IRF3708STRL	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格

与IRF3708L相关文章

PCF8574资料解读：主要参数分析、引脚说明
2024-05-21

1
AD637数据手册解读：主要特性、引脚及其功能解读、电气参数
2024-05-21

3
ADUM1201资料手册解读：参数分析、引脚说明、应用分析
2024-05-21

3
一文带你了解压敏电阻器在直流电路中的过压保护作用
2024-05-21

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF3708L

IRF3708L 技术参数

IRF3708L 数据手册

与IRF3708L相关器件

与IRF3708L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF3708L

IRF3708L 技术参数

IRF3708L 数据手册

与IRF3708L相关器件

与IRF3708L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？