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IRF1302LPBF PDF预览

IRF1302LPBF

更新时间： 2024-11-09 21:22:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 228K
描述
Power Field-Effect Transistor, 174A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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IRF1302LPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.46
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：350 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：174 A
最大漏极电流 (ID)：174 A最大漏源导通电阻：0.004 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：250
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：700 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRF1302LPBF 数据手册

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PD - 94520  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF1302S  
IRF1302L  
Benefits  
HEXFET® Power MOSFET  
●
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
D
VDSS = 20V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
R
DS(on) = 4.0mΩ  
G
ID = 174A†  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar  
design of HEXFET® Power MOSFET utilizes the lastest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.  
Additional features of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient  
and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety  
of other applications.  
D2Pak  
IRF1302S  
TO-262  
IRF1302L  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
174†  
120†  
700  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
200  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.4  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
350  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
TBD  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.74  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)ˆ  
–––  
40  
www.irf.com  
1
07/16/02  
1234567...12

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