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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 79 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF1310N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) |
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| IRF1310NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) |
|
| IRF1310NLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF1310NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
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| IRF1310NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) |
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| IRF1310NSPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF1310NSTRL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-263AB |
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| IRF1310NSTRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF1310NSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF1310NSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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