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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1302LTRL
IRF1302LTRL PDF预览

IRF1302LTRL

更新时间： 2024-09-24 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 524K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN

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IRF1302LTRL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-262, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
雪崩能效等级（Eas）：350 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.004 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：700 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1302LTRL 数据手册

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PD - 94591  
IRF1302  
AUTOMOTIVE MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Benefits  
●
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
D
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
VDSS = 20V  
RDS(on) = 4.0mΩ  
G
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
ID = 180Aꢀ  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar  
design of HEXFET® Power MOSFET utilizes the lastest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.  
Additional features of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient  
and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety  
of other applications.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
180ꢀ  
130ꢀ  
700  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ꢁ  
A
PD @TC = 25°C  
PowerDissipation  
230  
W
W/°C  
V
LinearDeratingFactor  
1.5  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-SourceVoltage  
20  
Single Pulse Avalanche Energyꢂ  
Avalanche Currentꢁ  
350  
mJ  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energyꢃ  
Peak Diode Recovery dv/dt ꢄ  
Operating Junction and  
mJ  
TBD  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.65  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
0.50  
–––  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB mount)ꢅ  
www.irf.com  
1
10/31/02  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1302LTRLPBF INFINEON

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