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IRF130

更新时间： 2024-11-24 22:48:07

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描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

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IRF130 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.06	雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	45 A
最大漏源导通电阻：	0.21 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF130 数据手册

IRF130

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

POWER MOSFET

39.95 (1.573)

max.

30.40 (1.197)

30.15 (1.187)

17.15 (0.675)

16.64 (0.655)

V_DSS

100V

14A

I_D(cont)

R_DS(on)

4.09 (0.161)

3.84 (0.151)

dia.

Ω

0.18

2 plcs.

FEATURES

• HERMETICALLY SEALED TO–3 METAL

PACKAGE

20.32 (0.800)

18.80 (0.740)

dia.

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• SCREENING OPTIONS AVAILABLE

1.09 (0.043)

0.97 (0.038)

dia.

2 plcs.

TO–3 Metal Package

Pin 1 – Gate

Pin 2 – Source

Case – Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

±20V

14A

(V = 0 , T

= 25°C)

case

(V = 0 , T

= 100°C)

Pulsed Drain Current

56A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

75W

Linear Derating Factor

0.6W/°C

75mJ

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

14A

Repetitive Avalanche Energy

7.5mJ

5.5V/ns

-55 to +150°C

300°C

dv/dt

T , T

Peak Diode Recovery

Operating and Storage Temperature Range

Lead Temperature 1.6mm (0.63”) from case for 10 sec.

stg

Notes

1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, δ ≤ 2%

2) @ V = 50V , L ≥ 570µH , R = 25Ω , Peak I = 14A , Starting T = 25°C

3) @ I ≤ 14A , di/dt ≤ 140A/µs , V ≤ BV

, T ≤ 150°C , Suggested R = 7.5Ω

J G

DSS

Prelim. 9/96

Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.

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与IRF130相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF130-133	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
IRF1302	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=18
IRF1302L	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=17
IRF1302LPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 174A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1302LTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1302LTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1302LTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1302LTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1302PBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on) = 4.
IRF1302S	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=17

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