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IPW50R045CP

更新时间： 2024-01-27 09:51:57

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10页	266K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IPW50R045CP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	62 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	431 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

IPW50R045CP 数据手册

IPW50R045CP

5 Typ. output characteristics

I _D=f(V _DS); T _j=150 °C

parameter: V _GS

6 Typ. drain-source on-state resistance

_DS(on)=f(I _D); T _j=150 °C

parameter: V _GS

0.3

150

125

100

20 V

10 V

0.25

0.2

8 V

7 V

6 V

7 V

6.5 V

6 V

5.5 V

20 V

0.15

0.1

5 V

4.5 V

0.05

100

150

200

_DS[V]

_D[A]

7 Drain-source on-state resistance

8 Typ. transfer characteristics

I _D=f(V _GS); |V _DS|>2|I _D|R _DS(on)max

parameter: T _j

_DS(on)=f(T _j); I _D=44 A; V _GS=10 V

0.12

0.11

0.1

275

250

225

200

175

150

125

100

25 °C

0.09

0.08

0.07

150 °C

0.06

98 %

typ

0.05

0.04

0.03

0.02

-60

-20

100

140

180

T _j[°C]

V _GS[V]

Rev. 2.0

page 5

2007-11-07

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