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IPW50R045CP

更新时间： 2024-02-24 06:45:32

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10页	266K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IPW50R045CP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	62 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	431 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

IPW50R045CP 数据手册

IPW50R045CP

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _S

Continuous diode forward current

Diode pulse current²⁾

Reverse diode dv /dt ⁴⁾

T _C=25 °C

I _S,pulse

170

dv /dt

V/ns

Values

typ.

Parameter

Symbol Conditions

Unit

min.

max.

Thermal characteristics

R _thJC

Thermal resistance, junction - case

0.29 K/W

Thermal resistance, junction -

ambient

R _thJA

leaded

Soldering temperature,

wavesoldering only allowed at leads

1.6 mm (0.063 in.)

from case for 10 s

T _sold

260 °C

Electrical characteristics, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Static characteristics

V _(BR)DSS

V _GS(th)

_GS=0 V, I _D=250 µA

_DS=V _GS, I _D=2.9 mA

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

500

2.5

3.5

_DS=500 V, V _GS=0 V,

I _DSS

Zero gate voltage drain current

µA

T _j=25 °C

_DS=500 V, V _GS=0 V,

T _j=150 °C

I _GSS

_GS=20 V, V _DS=0 V

_GS=10 V, I _D=44 A,

Gate-source leakage current

100 nA

R _DS(on)

Drain-source on-state resistance

0.04

0.045

Ω

T _j=25 °C

_GS=10 V, I _D=44 A,

0.10

2.2

T _j=150 °C

R _G

Gate resistance

f =1 MHz, open drain

Ω

Rev. 2.0

page 2

2007-11-07

123 4 5 6 7...10

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