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IPU95R3K7P7AKMA1

更新时间： 2024-11-21 20:38:39

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPU95R3K7P7AKMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	2.07	雪崩能效等级（Eas）：	2 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	950 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	3.7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	22 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPU95R3K7P7AKMA1 数据手册

IPU95R3K7P7

MOSFET

IPAK

950VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

Theꢀlatestꢀ950VꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀsetsꢀaꢀnewꢀbenchmarkꢀinꢀ950V

superꢀjunctionꢀtechnologiesꢀandꢀcombinesꢀbest-in-classꢀperformanceꢀwith

stateꢀofꢀtheꢀartꢀease-of-use,ꢀresultingꢀfromꢀInfineon’sꢀoverꢀ18ꢀyears

pioneeringꢀsuperꢀjunctionꢀtechnologyꢀinnovation.

tab

Features

•ꢀBest-in-classꢀFOMꢀR_DS(on)ꢀ*ꢀE_oss;ꢀreducedꢀQ_g,ꢀC_iss,ꢀandꢀC_oss

•ꢀBest-in-classꢀIPAKꢀR_DS(on)

•ꢀBest-in-classꢀV_(GS)thꢀofꢀ3VꢀandꢀsmallestꢀꢀV_(GS)thꢀvariationꢀofꢀ±0.5V

•ꢀIntegratedꢀZenerꢀDiodeꢀESDꢀprotection

•ꢀBest-in-classꢀCoolMOS™ꢀqualityꢀandꢀreliability

•ꢀFullyꢀoptimizedꢀportfolio

Drain

Pin 2

Benefits

•ꢀBest-in-classꢀperformance

Gate

Pin 1

•ꢀEnablingꢀhigherꢀpowerꢀdensityꢀdesigns,ꢀBOMꢀsavingsꢀandꢀlower

assemblyꢀcosts

•ꢀEasyꢀtoꢀdriveꢀandꢀtoꢀparallel

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

•ꢀBetterꢀproductionꢀyieldꢀbyꢀreducingꢀESDꢀrelatedꢀfailures

•ꢀLessꢀproductionꢀissuesꢀandꢀreducedꢀfieldꢀreturns

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀforꢀfineꢀtuningꢀofꢀdesigns

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀflybackꢀtopologiesꢀforꢀLEDꢀLighting,ꢀlowꢀpower

ChargersꢀandꢀAdapters,ꢀSmartꢀMeter,ꢀAUXꢀpowerꢀandꢀIndustrialꢀpower.

AlsoꢀsuitableꢀforꢀPFCꢀstageꢀinꢀConsumerꢀandꢀSolarꢀapplications.

ProductꢀValidation:ꢀFullyꢀqualifiedꢀacc.ꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j=25°C

R_DS(on),max

Q_g,typ

Value

950

3.7

Unit

Ω

I_D

E_oss@ 500V

V_GS(th),typ

0.5

µJ

ESD class (HBM)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPU95R3K7P7

PG-TO 251-3

95R3K7P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2018-06-01

12 3 4 5 6 7...14

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