IPUH6N03LB

更新时间： 2024-01-23 19:37:40

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPUH6N03LB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.0093 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPUH6N03LB 数据手册

Type

IPUH6N03LB

Product Summary

IPSH6N03LB

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Package

V _DS

6.3

Marking

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• N-channel - Logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Superior thermal resistance

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

Type

IPUH6N03LB

IPSH6N03LB

Package

Marking

PG-TO251-3

H6N03LB

PG-TO251-3-11

H6N03LB

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _C=25 °C³⁾

I _D,pulse

Pulsed drain current

200

160

E _AS

I _D=50 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=20 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage⁴⁾

Power dissipation

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 0.3

page 1

2006-05-15

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