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IPU80R900P7

更新时间： 2023-12-06 20:13:25
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动驱动器
页数 文件大小 规格书
13页 1496K
描述
800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足性能，易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用，包括适配器和充电器，LED驱动器，音频SMPS，辅助和工业电源。

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IPU80R900P7 数据手册

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800VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor  
IPU80R900P7  
3ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics  
atꢀTjꢀ=ꢀ25°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified  
Tableꢀ4ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics  
Values  
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
800  
2.5  
Typ.  
Max.  
-
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
-
V
V
VGS=0V,ꢀID=1mA  
3
3.5  
VDS=VGS,ꢀID=0.11mA  
-
-
-
10  
1
-
VDS=800V,ꢀVGS=0V,ꢀTj=25°C  
VDS=800V,ꢀVGS=0V,ꢀTj=150°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
µA  
Gate-source leakage curent incl. zener  
diode  
IGSS  
RDS(on)  
RG  
-
-
1
µA  
VGS=20V,ꢀVDS=0V  
-
-
0.77  
1.99  
0.90  
-
VGS=10V,ꢀID=2.2A,ꢀTj=25°C  
VGS=10V,ꢀID=2.2A,ꢀTj=150°C  
Drain-source on-state resistance  
Gate resistance  
Ω
Ω
-
1.4  
-
f=250kHz,ꢀopenꢀdrain  
Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀDynamicꢀcharacteristics  
Values  
Typ.  
350  
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
Max.  
Input capacitance  
Output capacitance  
Ciss  
-
-
-
-
pF  
pF  
VGS=0V,ꢀVDS=500V,ꢀf=250kHz  
VGS=0V,ꢀVDS=500V,ꢀf=250kHz  
Coss  
6
Effective output capacitance, energy  
related1)  
Co(er)  
Co(tr)  
td(on)  
tr  
-
-
-
-
-
-
11  
135  
12  
8
-
-
-
-
-
-
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS=0V,ꢀVDS=0ꢀtoꢀ500V  
Effective output capacitance, time  
related2)  
ID=constant,ꢀVGS=0V,ꢀVDS=0ꢀtoꢀ500V  
VDD=400V,ꢀVGS=13V,ꢀID=2.2A,  
RG=15Ω  
Turn-on delay time  
Rise time  
VDD=400V,ꢀVGS=13V,ꢀID=2.2A,  
RG=15Ω  
VDD=400V,ꢀVGS=13V,ꢀID=2.2A,  
RG=15Ω  
Turn-off delay time  
Fall time  
td(off)  
tf  
40  
20  
VDD=400V,ꢀVGS=13V,ꢀID=2.2A,  
RG=15Ω  
Tableꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀGateꢀchargeꢀcharacteristics  
Values  
Typ.  
2
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
Max.  
Gate to source charge  
Gate to drain charge  
Gate charge total  
Qgs  
-
-
-
-
-
-
-
-
nC  
nC  
nC  
V
VDD=640V,ꢀID=2.2A,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ10V  
VDD=640V,ꢀID=2.2A,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ10V  
VDD=640V,ꢀID=2.2A,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ10V  
VDD=640V,ꢀID=2.2A,ꢀVGS=0ꢀtoꢀ10V  
Qgd  
6
Qg  
15  
Gate plateau voltage  
Vplateau  
4.5  
1)ꢀCo(er)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀstoredꢀenergyꢀasꢀCossꢀwhileꢀVDSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ500V  
2)ꢀCo(tr)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀchargingꢀtimeꢀasꢀCossꢀwhileꢀVDSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ500V  
Final Data Sheet  
4
Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2022-01-31  
1234567...13

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