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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 75 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 350 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPU09N03LBG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPU103N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS(TM)3 Power-Transistor |
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| IPU103N08N3GBKMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.0103ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPU105N03LG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPU10N03LA | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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| IPU10N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPU12N03L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Buck converter series |
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| IPU12N03LBG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPU135N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters |
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| IPU135N03LGBKMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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