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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPU103N08N3G
IPU103N08N3G PDF预览

IPU103N08N3G

更新时间： 2024-09-25 12:20:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 300K
描述
OptiMOS(TM)3 Power-Transistor

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IPU103N08N3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：90 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0103 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPU103N08N3G 数据手册

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IPU103N08N3 G  
OptiMOS(TM)3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
80  
10.3  
50  
V
• Ideal for high frequency switching and sync. rec.  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, normal level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
Type  
IPU103N08N3 G  
1
2
3
Package  
Marking  
PG-TO251-3  
103N08N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
50  
50  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
200  
Avalanche energy, single pulse3)  
I D=46 A, R GS=25 Ω  
90  
mJ  
V
V GS  
Gate source voltage  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
100  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3 for more detailed information  
3) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.11  
page 1  
2010-05-18  
1234567...9

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与IPU103N08N3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPU103N08N3GBKMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 80V, 0.0103ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPU105N03LG INFINEON

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