Datasheet > IPU105N03LG

IPU105N03LG

更新时间： 2024-09-25 11:08:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
12页	1231K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPU105N03LG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.83	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	30 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.0105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	38 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	245 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IPU105N03LG 数据手册

Kg_T

ꢀ% ꢁ ꢂ ꢃ ꢄ # ꢃ ꢅ ! ꢆ

ꢀ% 'ꢂ ꢃ ꢄ # ꢃ ꢅ ! ꢆ

ꢀ% ꢇ ꢂ ꢃ ꢄ # ꢃ ꢅ ! ꢆ

ꢀ% ) ꢂ ꢃ ꢄ # ꢃ ꢅ ! ꢆ

"%&$!"#^bꢅ % <C2>ꢈ(>.;?6?@<>

% ><1 A0@ 'A: : .>E

7NJ\]ZN[

)

*)'.

S !4 EF EI<F6;<A: ( * .! / 9BD .( +.

;J"^]#%\Pf

S * CF<@ <L87 F86;AB?B: K 9BD ꢀ ꢁ ꢂꢀ ꢁ 6BAH8DF8DE

S , G4 ?<9<87 4 66BD7<A: FB % ꢀ ꢁ ^*#9BD F4 D: 8F 4 CC?<64 F<BAE

;

S ) ꢃ6;4 AA8?ꢄ ?B: <6 ?8H8?

S J68??8AF : 4 F8 6;4 D: 8 J ' _;J"^]#CDB7G6F ꢅ!* ( ꢆ

S 18DK ?BI BAꢃD8E<EF4 A68 ' _;J"^]#

S ꢇ H4 ?4 A6;8 D4 F87

S +5ꢃ9D88 C?4 F<A: ꢈ - B# . 6B@ C?<4 AF

S # 4 ?B: 8Aꢃ9D88 4 66BD7<A: FB $ ꢁ ꢉ ꢊ ꢋ ꢌ ꢍ ꢃꢋ ꢃꢋ ꢊ ꢎ

DaYN

$+ꢀ ꢊ ꢑ ꢐ ) ꢑ ꢓ ' "

$+!ꢊ ꢑ ꢐ ) ꢑ ꢓ ' "

$+.ꢊ ꢑ ꢐ ) ꢑ ꢓ ' "

$+0 ꢊ ꢑ ꢐ ) ꢑ ꢓ ' "

AJLTJPN

>JZTRWP

G>&KF+.+&,&**

*).E),C

G>&KF+.+&,&+,

*).E),C

G>&KF+.*&,&**

*).E),C

G>&KF+.*&,&+*

*).E),C

" .D6: A: >.@6;4?ꢉ 4 F ( _Yꢏ ꢋ ꢐ Vꢁ ꢄ GA?8EE BF;8DI<E8 EC86<9<87

FJU]N

AJZJVN\NZ

CaVKXU 4XWMR\RXW[

EWR\

)

_>Jꢏ ꢊ ꢑ 1ꢄ ( ₉ꢏ ꢋ ꢐ Vꢁ

_>Jꢏ ꢊ ꢑ 1ꢄ ( ₉ꢏ ꢊ ꢑ ꢑ Vꢁ

ꢁ BAF<AGBGE 7D4 <A 6GDD8AF

;

)

_>Jꢏ ꢌ ꢒꢐ 1ꢄ ( ₉ꢏ ꢋ ꢐ Vꢁ

_>Jꢏ ꢌ ꢒꢐ 1ꢄ

( ₉ꢏ ꢊ ꢑ ꢑ Vꢁ

+G?E87 7D4 <A 6GDD8AF^+#

( ₉ꢏ ꢋ ꢐ Vꢁ

+-.

;%_c[aT

ꢇ H4 ?4 A6;8 6GDD8AFꢄ E<A: ?8 CG?E8^,#

ꢇ H4 ?4 A6;8 8A8D: Kꢄ E<A: ?8 CG?E8

( ₉ꢏ ꢋ ꢐ Vꢁ

$ _;ꢏ ꢊ ꢋ ꢇ ꢄ ' _>Jꢏ ꢋ ꢐ "

$ _;ꢏ ꢓ ꢐ ꢇ ꢄ ) _;Jꢏ ꢋ ꢌ 1ꢄ

S- (S. ꢏ ꢋ ꢑ ꢑ ꢇ ꢂY Eꢄ

- 8H8DE8 7<B78 7/ (S.

S/ (S.

ZM(ua

(

_Y%\Pfꢏ ꢊ ꢔ ꢐ Vꢁ

)

" 4 F8 EBGD68 HB?F4 : 8

^*#% ꢃ./ꢀ ꢋ ꢑ 4 A7 % .ꢀ ꢋ ꢋ

s+)

ꢎ $+ꢀ ꢊ ꢑ ꢐ ) ꢑ ꢓ ' " # ! 4 H4 <?4 5?8 I<F; .+ꢑ ꢑ ꢑ ꢔ ꢍ ꢉ ꢍ ꢊ ꢑ BA?K <A ( 4 ?4 664 ꢄ ( 4 ?4 KE<4

$+.ꢊ ꢑ ꢐ ) ꢑ ꢓ ' " 4 H4 <?4 5?8 <A # !

- 8Hꢒ ꢋ ꢒꢊ

C4 : 8 ꢊ

ꢋ ꢑ ꢊ ꢑ ꢃꢑ ꢌ ꢃꢑ ꢊ

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与IPU105N03LG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPU10N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor
IPU10N03LAG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPU12N03L	INFINEON	获取价格	OptiMOS Buck converter series
IPU12N03LBG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPU135N03LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters
IPU135N03LGBKMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPU135N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor
IPU13N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
IPU13N03LAG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPU14N03L	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor Buck converter series

与IPU105N03LG相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

14
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

81
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

72

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPU105N03LG

IPU105N03LG 技术参数

IPU105N03LG 数据手册

与IPU105N03LG相关器件

与IPU105N03LG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPU105N03LG

IPU105N03LG 技术参数

IPU105N03LG 数据手册

与IPU105N03LG相关器件

与IPU105N03LG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？