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IPU60R2K1CE

更新时间： 2024-09-26 01:19:03

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无锡固电 - ISC		/
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isc N-Channel MOSFET Transistor

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IPU60R2K1CE 数据手册

isc N-Channel MOSFET Transistor

IPU60R1K5CE

·FEATURES

·With TO-251(IPAK) packaging

·High speed switching

·Easy to use

·100% avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·APPLICATIONS

·Power supply

·DC-DC converters

·Motor control

·Switching applications

·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_DSS

V_GSS

I_D

PARAMETER

VALUE

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±30

Drain Current-Continuous

Drain Current-Single Pulsed

Total Dissipation

3.2

I_DM

8.0

P_D

℃

T_j

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-40~150

T_stg

·THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Rth(ch-c) Channel-to-case thermal resistance

Rth(ch-a) Channel-to-ambient thermal resistance

2.57

isc website：www.iscsemi.cn

isc & iscsemi is registered trademark

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