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IPU135N03LG

更新时间： 2024-09-25 05:39:23
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英飞凌 - INFINEON 转换器
页数 文件大小 规格书
12页 531K
描述
OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters

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IPU135N03LG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.0135 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：31 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：210 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPU135N03LG 数据手册

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IPD135N03L G  
IPS135N03L G  
IPF135N03L G  
IPU135N03L G  
OptiMOS®3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
13.5  
30  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
Type  
IPD135N03L G  
IPF135N03L G  
IPS135N03L G  
IPU135N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3-11  
135N03L  
PG-TO252-3-23  
135N03L  
PG-TO251-3-11  
135N03L  
PG-TO251-3-21  
135N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
GS=10 V, T C=100 °C  
GS=4.5 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
30  
26  
30  
A
V
GS=4.5 V,  
21  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
210  
30  
Avalanche current, single pulse3)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=10 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
20  
mJ  
I D=30 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-10-23  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPU135N03LGBKMA1 INFINEON

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