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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPU12N03LBG
IPU12N03LBG PDF预览

IPU12N03LBG

更新时间： 2024-11-13 03:44:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 417K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPU12N03LBG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：64 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.0118 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：52 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPU12N03LBG 数据手册

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IPD12N03LB G  
IPU12N03LB G  
IPS12N03LB G  
IPF12N03LB G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Package  
V DS  
30  
V
Marking  
R DS(on),max  
I D  
11.6  
30  
mΩ  
A
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Superior thermal resistance  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
IPD12N03LB G  
IPS12N03LB G  
IPF12N03LB G  
IPU12N03LB G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3-11  
12N03LB  
PG-TO251-3-11  
12N03LB  
PG-TO252-3-23  
12N03LB  
PG-TO251-3-1  
12N03LB  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
30  
30  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
120  
64  
E AS  
I D=30 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=30 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage4)  
V GS  
±20  
52  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 1.5  
page 1  
2006-05-15  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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