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IPD031N06L3GATMA1

更新时间: 2024-09-17 19:58:15
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
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9页 445K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN

IPD031N06L3GATMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-252AA
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.66其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):149 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):100 A最大漏源导通电阻:0.0031 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPD031N06L3GATMA1 数据手册

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