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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 2.17 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 419 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 57 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA60R199CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPA60R199CP_08 | INFINEON |
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CoolMos Power Transistor |
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| IPA60R199CPXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPA60R1K0CE | ISC |
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Isc N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPA60R1K0CE | INFINEON |
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| IPA60R1K5CE | ISC |
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Isc N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPA60R210CFD7 | INFINEON |
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600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPA60R230P6 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPA60R230P6_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPA60R250CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMos Power Transistor |
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