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IPA60R1K5CE

更新时间： 2024-11-24 01:23:35

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无锡固电 - ISC		/
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描述
Isc N-Channel MOSFET Transistor

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IPA60R1K5CE 数据手册

INCHANGE Semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor

IPA60R1K0CE

·FEATURES

·With TO-220F package

·Low input capacitance and gate charge

·Reduced switching and conduction losses

·100% avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·APPLICATIONS

·Switching applications

·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_DSS

V_GSS

I_D

PARAMETER

VALUE

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±30

Drain Current-Continuous @Tc=25℃

6.8

4.3

(V_GSat 10V)

Tc=100℃

I_DM

Drain Current-Single Pulsed

P_D

Total Dissipation @T_C=25℃

℃

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

T_stg

·THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Rth(ch-c) Channel-to-case thermal resistance

Rth(ch-a) Channel-to-ambient thermal resistance

4.9

isc website：www.iscsemi.cn

isc & iscsemi is registered trademark

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