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IPA60R1K0CE

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

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英飞凌 - INFINEON		/
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13页	865K
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IPA60R1K0CE 数据手册

IPA60R1K0CE

MOSFET

TO-220ꢀFP

600VꢀCoolMOS™ꢀCEꢀPowerꢀTransistor

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa

price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive

applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest

efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast

switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand

offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss

•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

Drain

Pin 2, Tab

•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound

•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications

Gate

Pin 1

Applications

Source

Pin 3

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages

forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀindoorꢀlighting.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

I_d.

Value

650

1000

6.8

Unit

mΩ

Q_g.typ

I_D,pulse

E_oss@400V

1.3

µJ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

PG-TO 220 FullPAK

Marking

RelatedꢀLinks

IPA60R1K0CE

60S1K0CE

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2016-02-26

12 3 4 5 6 7...13

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