Datasheet > IDT71V35761S183PFGI8

IDT71V35761S183PFGI8

更新时间： 2024-11-07 00:31:31

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	972K
描述
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71V35761S183PFGI8 数据手册

浏览型号IDT71V35761S183PFGI8的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IDT71V35761S183PFGI8的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IDT71V35761S183PFGI8的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IDT71V35761S183PFGI8的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IDT71V35761S183PFGI8的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IDT71V35761S183PFGI8的Datasheet PDF文件第7页

◆

128K x 36

IDT71V35761S/SA

3.3VSynchronousSRAMs

3.3VI/O,PipelinedOutputs

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

Power down controlled by ZZ input

Features

128K x 36 memory configurations

Supports high system speed:

3.3V I/O

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

CommercialandIndustrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

compliant)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine

pitch ball grid array

Green parts available, see ordering information

3.3V core power supply

FunctionalBlockDiagram

LBO

ADV

INTERNAL

ADDRESS

Sequence

Burst

CEN

128K x 36-

BIT

MEMORY

ARRAY

CLK

Burst

Logic

17/18

Binary

Counter

ADSC

A0*

A1*

CLR

ADSP

CLK EN

A0,A1

A2–A17

A0 - A16/17

ADDRESS

17/18

Byte 1

Write Register

BWE

Byte 1

Write Driver

BW1

BW2

Byte 2

Write Register

Byte 2

Write Driver

Byte 3

Write Register

Byte 3

Write Driver

BW3

BW4

Byte 4

Write Register

Byte 4

Write Driver

OUTPUT

CS0

Enable

CLK EN

DATA

INPUT

CS1

Powerdown

Enable

Delay

OUTPUT

BUFFER

I/O0 — I/O31

I/OP1 — I/OP4

5301 drw 01

TMS

TDI

TCK

JTAG

(SA Version)

TDO

TRST

(Optional)

NOVEMBER2014

DSC-5301/07

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

与IDT71V35761S183PFGI8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V35761S183PFI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761S183PFI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V35761S183PFI9	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V35761S200BG	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761S200BGG	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200BGG8	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200BGGI	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200BGGI8	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200BGI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761S200BGI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, POWER, PLASTIC, BGA-119

与IDT71V35761S183PFGI8相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V35761S183PFGI8

IDT71V35761S183PFGI8 数据手册

与IDT71V35761S183PFGI8相关器件

与IDT71V35761S183PFGI8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V35761S183PFGI8

IDT71V35761S183PFGI8 数据手册

与IDT71V35761S183PFGI8相关器件

与IDT71V35761S183PFGI8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？