是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP1, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.61 |
最长访问时间: | 12 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.55 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V256SA12PZGI8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) | |
IDT71V256SA12PZI | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 | |
IDT71V256SA12TP | IDT |
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LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71V256SA12Y | IDT |
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LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71V256SA12Y8 | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IDT71V256SA12YG | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IDT71V256SA12YG8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) | |
IDT71V256SA12YGI | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IDT71V256SA12YGI8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) | |
IDT71V256SA12YI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |