5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | 0.300 INCH, SOJ-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 12 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 17.9324 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ28,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.556 mm | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 7.5184 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V256SA15PZ | IDT |
获取价格 |
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SA15PZG | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 |
|
| IDT71V256SA15PZG8 | IDT |
获取价格 |
Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
|
| IDT71V256SA15PZGI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 |
|
| IDT71V256SA15PZGI8 | IDT |
获取价格 |
Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
|
| IDT71V256SA15PZI | IDT |
获取价格 |
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SA15PZI8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28 |
|
| IDT71V256SA15TP | IDT |
获取价格 |
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SA15Y | IDT |
获取价格 |
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SA15Y8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
