是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.47 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 17.9324 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.556 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.5184 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V256SA12YG8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) | |
IDT71V256SA12YGI | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IDT71V256SA12YGI8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) | |
IDT71V256SA12YI | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IDT71V256SA12YI8 | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IDT71V256SA15PZ | IDT |
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LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71V256SA15PZG | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 | |
IDT71V256SA15PZG8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) | |
IDT71V256SA15PZGI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 | |
IDT71V256SA15PZGI8 | IDT |
获取价格 |
Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |