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IDT71421SA25TF8

更新时间： 2024-11-05 14:33:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	421K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64

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IDT71421SA25TF8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LFQFP, QFP64,.47SQ,20	针数：	64
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.11
最长访问时间：	25 ns	其他特性：	INTERRUPT FLAG
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQFP-G64
JESD-609代码：	e0	长度：	10 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	64	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFQFP	封装等效代码：	QFP64,.47SQ,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71421SA25TFG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64
IDT71421SA25TFG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64
IDT71421SA25TFGI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64
IDT71421SA25TFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71421SA25TFI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64
IDT71421SA30J	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT71421SA30J8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT71421SA30L52	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
IDT71421SA30L52B	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
IDT71421SA35J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS