Datasheet > IDT71421SA30J

IDT71421SA30J

更新时间： 2024-11-05 20:20:47

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	476K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71421SA30J 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ, LDCC52,.8SQ	针数：	52
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
其他特性：	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQCC-J52	JESD-609代码：	e0
长度：	19.1262 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	52
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC52,.8SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.57 mm
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	19.1262 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71421SA30J8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT71421SA30L52	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
IDT71421SA30L52B	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
IDT71421SA35J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71421SA35J8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC,
IDT71421SA35JI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71421SA35L52	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
IDT71421SA35L52B	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
IDT71421SA35LG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, HERMETIC SEALED, LCC-52
IDT71421SA35PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS