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IDT71421SA35PFG8

更新时间： 2024-11-05 19:27:27

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	719K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64

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IDT71421SA35PFG8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP, QFP64,.66SQ,32	针数：	64
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G64	JESD-609代码：	e3
长度：	14 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	64
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP64,.66SQ,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.165 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71421SA35PFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71421SA35TF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
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IDT71421SA45J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71421SA45JG	IDT	获取价格	暂无描述
IDT71421SA45JG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
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IDT71421SA45PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71421SA45PF8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64