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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | TFQFP, QFP64,.47SQ,20 | 针数： | 64 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.41 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQFP-G64 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 10 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 64 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFQFP |
| 封装等效代码： | QFP64,.47SQ,20 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.165 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71421SA35TFI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT71421SA45J | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT71421SA45JG | IDT |
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暂无描述 |
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| IDT71421SA45JG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT71421SA45L52 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
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| IDT71421SA45L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
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| IDT71421SA45PF | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT71421SA45PF8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
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| IDT71421SA45PFG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
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| IDT71421SA45PFG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
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