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IDT71421SA30L52B

更新时间: 2024-11-05 20:20:47
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 476K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC52, LCC-52

IDT71421SA30L52B 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:LCC-52针数:52
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.73
Is Samacsys:N最长访问时间:30 ns
其他特性:INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-CQCC-N52JESD-609代码:e0
长度:19.05 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:2
端子数量:52字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC52,.75SQ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B座面最大高度:2.2098 mm
最大待机电流:0.03 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:19.05 mmBase Number Matches:1

IDT71421SA30L52B 数据手册

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