5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.36 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 19.1262 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 52 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.572 mm |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.165 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 19.1262 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IDT7132SA35J | IDT |
功能相似  |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| IDT71321SA35J | IDT |
功能相似 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
|
| IDT71321LA35J | IDT |
功能相似 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71421SA35J8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, |
|
| IDT71421SA35JI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
|
| IDT71421SA35L52 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
|
| IDT71421SA35L52B | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
|
| IDT71421SA35LG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, HERMETIC SEALED, LCC-52 |
|
| IDT71421SA35PF | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
|
| IDT71421SA35PF8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64 |
|
| IDT71421SA35PF9 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64 |
|
| IDT71421SA35PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 |
|
| IDT71421SA35PFG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
