是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LFQFP, QFP64,.47SQ,20 | 针数: | 64 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.11 |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | INTERRUPT FLAG |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G64 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 10 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 64 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFQFP | 封装等效代码: | QFP64,.47SQ,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.22 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 10 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71421SA25TFGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 | |
IDT71421SA25TFI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS | |
IDT71421SA25TFI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 | |
IDT71421SA30J | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT71421SA30J8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT71421SA30L52 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT71421SA30L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT71421SA35J | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS | |
IDT71421SA35J8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, | |
IDT71421SA35JI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |