是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, PGA108,12X12 | 针数: | 108 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.14 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-CPGA-P108 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 30.48 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | FOUR-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 4 | 端子数量: | 108 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA108,12X12 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.207 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 30.48 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7052S25GGI | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CPGA108, 1.210 X 1.210 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C | |
IDT7052S25GGM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CPGA108 | |
IDT7052S25PF | ETC |
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Quad-Port SRAM | |
IDT7052S25PF8 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052S25PF9 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052S25PFGB | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQF | |
IDT7052S25PFGM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP120 | |
IDT7052S25PFI | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052S25PFM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP120 | |
IDT7052S25PG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PPGA108 |