是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-132 | 针数: | 132 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.65 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G132 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 24.13 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | FOUR-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 4 | 端子数量: | 132 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 2KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BQFP | 封装等效代码: | SPQFP132,1.1SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, BUMPER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.572 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.36 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 24.13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IDT7052S25PQFGM | IDT | Application Specific SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP132 |
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IDT7052S25QE | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 |
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IDT7052S30G | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CPGA108, CAVITY-UP, CERAMIC, PGA-108 |
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IDT7052S30GB | ETC | Quad-Port SRAM |
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IDT7052S30PF | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQFP132, PLASTIC, QFP-132 |
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IDT7052S30PG | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PPGA108 |
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