是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, PGA108,12X12 | 针数: | 108 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.09 |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-CPGA-P108 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 30.48 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | FOUR-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 4 | 端子数量: | 108 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA108,12X12 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.207 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.3 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 30.48 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7052S35GB | ETC |
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Quad-Port SRAM | |
IDT7052S35PF | ETC |
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Quad-Port SRAM | |
IDT7052S35PF8 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052S35PF9 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052S35PFB | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052S35PFG | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQF | |
IDT7052S35PFG8 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120 | |
IDT7052S35PFGM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 | |
IDT7052S35PFM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 | |
IDT7052S35PG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PPGA108 |