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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | QFP, QFP120,.63SQ,16 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.41 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G120 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | APPLICATION SPECIFIC SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端口数量： | 4 | 端子数量： | 120 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QFP | 封装等效代码： | QFP120,.63SQ,16 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.36 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.4 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7052S35PFM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 |
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| IDT7052S35PG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PPGA108 |
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| IDT7052S35PQF | ETC |
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Quad-Port SRAM |
|
| IDT7052S35PQF9 | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, PLASTIC, |
|
| IDT7052S35PQFGB | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, P |
|
| IDT7052S35PQFGM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 |
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| IDT7052S35PQFM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 |
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| IDT7052S35QEBG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 |
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| IDT7052S45G | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CPGA108, CAVITY UP, PGA-108 |
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| IDT7052S45GB | ETC |
获取价格 |
Quad-Port SRAM |
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