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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | BQFP, | 针数： | 132 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码： | S-PQFP-G132 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 24.13 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | FOUR-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 132 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BQFP |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK, BUMPER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.572 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.635 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 24.13 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7052S35PQFGB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, P |
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| IDT7052S35PQFGM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 |
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| IDT7052S35PQFM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 |
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| IDT7052S35QEBG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 |
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| IDT7052S45G | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CPGA108, CAVITY UP, PGA-108 |
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| IDT7052S45GB | ETC |
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Quad-Port SRAM |
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| IDT7052S45PF | ETC |
获取价格 |
Quad-Port SRAM |
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| IDT7052S45PF8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQFP120, TQFP-120 |
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| IDT7052S45PFG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQFP120, TQFP-120 |
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| IDT7052S45PG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PPGA108 |
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