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IDT7052S35QEBG

更新时间: 2024-11-29 15:34:43
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 285K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132

IDT7052S35QEBG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:QFN
包装说明:QCCJ,针数:132
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.38
最长访问时间:35 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:S-GQCC-J132JESD-609代码:e3
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:4端子数量:132
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:QCCJ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:MATTE TIN
端子形式:J BEND端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

IDT7052S35QEBG 数据手册

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