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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LFQFP, | 针数： | 120 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.14 |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | S-PQFP-G120 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 14 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | FOUR-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 120 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFQFP |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.4 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7052S35PFG | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQF |
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| IDT7052S35PFG8 | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, PLASTIC, TQFP-120 |
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| IDT7052S35PFGM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 |
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| IDT7052S35PFM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 |
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| IDT7052S35PG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PPGA108 |
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| IDT7052S35PQF | ETC |
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Quad-Port SRAM |
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| IDT7052S35PQF9 | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, PLASTIC, |
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| IDT7052S35PQFGB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, P |
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| IDT7052S35PQFGM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 |
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| IDT7052S35PQFM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 |
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